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NP82N04MUG, NP82N04NUG
350
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
1000
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
V DS = 10 V
300
100
Pulse
250
200
150
100
50
0
V GS = 10 V
Pulsed
10
1
0.1
0.01
0.001
T A = 175 ° C
150 ° C
125 ° C
85 ° C
? 55 ° C
? 25 ° C
25 ° C
0
0.5
1
1.5
2
0
1
2
3
4
5
6
7
V DS - Drain to Source Voltage - V
GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
4
3.5
100
V GS - Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
T A = ? 55 ° C
? 25 ° C
3
2.5
10
25 ° C
75 ° C
125 ° C
2
1.5
1
1
150 ° C
175 ° C
0.5
0
V DS = V GS
I D = 250 μ A
0.1
V DS = 5 V
Pulsed
-75
-25
25
75
125
175
225
0.1
1
10
100
1000
T ch - Channel Temperature - ° C
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
10
I D - Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
30
Pulsed
8
6
20
I D = 82 A
41 A
16.4 A
4
10
2
0
V GS = 10 V
Pulsed
0
0.1
1
10
100
1000
0
4
8
12
16
20
4
I D - Drain Current - A
Data Sheet D19803EJ1V0DS
V GS - Gate to Source Voltage - V
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